产品介绍

        NF-300M Supra-H 是新一代叠层介质 PECVD 沉积设备，独创可搭载4个6站反应腔的设计，使其具有优异的坪效比及 CoO，专用于三维闪存（3D NAND）先进制程，是适配高堆叠层数存储芯片量产的核心薄膜沉积设备，广泛应用于新一代大容量、高密度 3D NAND 闪存芯片制造产线。
        该设备支持 SiO₂、SiN 交替多层堆叠（ONON）结构沉积以及 Thick TEOS 介质薄膜沉积，实现多种薄膜的快速切换及长时间沉积需求的薄膜工艺；支持 700℃高温工艺，可有效提升介质薄膜的致密度、结构稳定性与绝缘可靠性，消除薄膜孔隙与缺陷，满足 3D NAND 闪存层数提升、膜层结构复杂需求的趋势。设备在薄膜均匀性、颗粒度控制、表面粗糙度、薄膜应力控制等方面表现优异，同时具备多片wafer 沉积和wafer 旋转功能，在量产产能、工艺稳定性等多项关键指标上实现技术突破，达到国际同类设备先进水平。

产品特点
        - 支持700℃高温工艺，可实现超百层 SiO2、SiN（ONON）的堆叠
        - 高产能设计和多种薄膜沉积的快速切换
        - 可搭载4个6站反应腔
        - 具备多片 wafer 沉积和 wafer 旋转功能