产品介绍

        TS-300S Hesper 是一款高性能12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备，聚焦高密度介质薄膜填充，采用六边形高产能平台，可搭配5个反应腔，薄膜致密度高、杂质含量低、均匀性及颗粒度表现优异，整体薄膜品质达到国际先进水平。
产品适配半导体制造中各类高深宽比沟槽、孔洞的介质填充场景，覆盖 STI（浅沟槽隔离）、PMD（预金属介质层）、ILD（层间介质）、IMD（金属间介质）等核心工艺环节，满足逻辑芯片、存储芯片的主流量产及先进工艺研发需求。

产品特点
        - 六边形平台设计，可搭载5个反应腔，高坪效比
        - 自动晶圆控温，对热预算敏感衬底提供额外控制能力
        - 独立的氧气道设计，降低污染风险以及颗粒度
        - 高沉积速率及高清洁速率系统设计，高产能优势
        - 晶圆解吸附监测设计，避免晶圆碎片